材料科學基礎期末復習知識點(可縮印)

1、菲克第一定律:當系統中物質的擴散達到穩定狀態時（即物質在各處的質量濃度不隨時間而變化），擴散通量（單位時間內通過垂直于擴散方向單位橫截面的物質的質量）與物質的濃度梯度（擴散方向上單位距離物質的濃度差）成正比。

2、菲克第二定律:描述了非穩態擴散系統中擴散原子的分布與時間及所處位置的相互關系，根據應用條件的不同，對此偏微分方程進行求解，可得到一定條件下不同時刻、不同位置處的擴散原子的濃度分布狀況。

3、柯肯達爾效應：多元系統中由于各組元擴散速率不同而引起的擴散偶原始界面向擴散速率快的一側移動的現象稱為柯肯達爾效應。說明在擴散系統中每一種組元都有自己的擴散系數。

4、反應擴散：當某種元素通過擴散自金屬表面向內部滲透時，該元素含量超過基體金屬的溶解度以后會在金屬表層形成新相（中間相或固溶體）的現象。N元反應擴散的滲層組織中只有N-1相能夠共存，并且相界面濃度是突變的。

5、高分子構象：由于單鍵內旋導致原子排布方式的不斷變換，使分子在空間呈現的不同形態。

6、高分子鏈的柔順性：鏈段長度和整個分子長度的比值。

7、滑移系：一個滑移面和此面上的一個滑移方向合起來稱為一個滑移系。

8、取向因子（軟取向和硬取向）：分切應力與軸向正應力的比值，可表示為cos cos

φλ。取向因子越大，分切應力越大，越接近臨界分切應力，容易使金屬滑移，稱為軟取向。

9、加工硬化：金屬材料經冷變形后，強硬度顯著提高，塑性很快下降的現象。

10、固溶強化：隨著溶質原子固溶度的增加，基體金屬的變形抗力隨之提高的現象。

11、柯氏氣團：溶質原子與位錯的交互作用，溶質原子更傾向于聚集在位錯的周圍，使位錯可動性下降，類似形成了一個溶質原子氣團。

12、應變時效：將經過少量變形的試樣放置一段時間，或經過短時間低溫熱處理后再進行拉伸，則屈服點又重新出現，且屈服應力提高的現象。

13、Hall-petch定律：多晶體的強度隨著晶粒的細化（晶界面積增大）而增加，屈服強度與晶粒尺寸21-

d之間存在線性關系。

14、形變織構：多晶體材料在拉應力作用下，原本任意取向的晶粒趨向于外加應力方向，形成晶體的擇優取向，變形量越大，擇優取向程度越大，織構越強。

15、蠕變：金屬材料在高溫恒定載荷 (通常<σs) 的持續作用下，會發生與時間相關的塑性變形，應變隨時間增加而增大的現象，在溫度T≥(0.3-0.5)Tm時尤為明顯。

16、超塑性：某些金屬材料，在特定條件下拉伸時，可以使材料在較低的流動應力下，得到高達500%~2000%的延伸率，而不發生縮頸，這種特性叫做超塑性。

17、準晶：具有長程周期有序排列，而沒有平移對稱性的原子聚集狀態，可存在不符合傳統晶體學的五次、八次、十二次對稱軸。

18、脫溶分解：當固溶體因溫度變化等原因而呈過飽和狀態時，將自發分解，其所含的過飽和溶質原子通過擴散而形成新相析出，此過程稱為脫溶分解。

19、調幅分解：過飽和固溶體在一定溫度下通過溶質原子的上坡擴散形成結構相同而成分呈周期性波動的兩種固溶體。

20、居里溫度（尼爾溫度）：材料的磁特性受溫度的影響，隨溫度增加，飽和磁化強度逐漸減小，然后急降到零，此時的溫度為居里溫度。

21、N型半導體：在4價本征半導體中加入5價置換雜質，形成的弱鍵單電子容易被激發到導帶中去，使導帶中電子數遠超過價帶中的空穴數，半導體的電導明顯增加，這類材料稱為n型半導體，導電性主要由電子濃度決定。

22、P型半導體：在4價本征半導體中加入3價置換雜質，價帶電子容易被激發到該摻雜能級中去，使價帶中空穴數遠超過導帶中的電子數，半導體的電導明顯增加，這類材料